Новости
18 июля 2018 г.
Поднять драгоценности в случае их обнаружения на борту затонувшего в 1905 году российского крейсера "Дмитрий Донской" можно при помощи глубоководных аппаратов или надо поднимать весь корабль, сообщил РИА Новости в среду руководитель экспедиции "Поклон кораблям Великой Победы" Константин Богданов.© Кадр из видео Shinil GroupЭксперт: Москва может договориться с Сеулом о передаче найденного крейсераНакануне компания "Синиль" (Shinil Group), занимающаяся, в частности, строительным бизнесом, опубликовала на своем сайте сообщение, согласно которому "Дмитрий Донской" был найден в воскресенье на глубине 434 метра у южнокорейского острова Уллындо. На его борту камеры отчетливо зафиксировали надпись с названием крейсера. По утверждению компании, на его борту якобы находятся сокровища более чем на 130 миллиардов долларов. Компания собирается организовать подъем крейсера со дна моря."Найти и поднять с такой глубины объект аквалангистам в легком снаряжении практически нереально. В этом случае необходимо либо задействовать глубоководные аппараты, или поднимать весь корабль", — сказал Богданов.По его словам, рабочая глубина для аквалангистов в легком снаряжении замкнутого цикла составляет около 100 метров, максимальная — до 300 метров.Экспедиции "Поклон кораблям Великой Победы" проводятся в местах гибели советских кораблей и подводных лодок во время Великой Отечественной Войны с 2005 года при поддержке Минобороны и депутата Госдумы генерала армии Николая Ковалева. На счету экспедиции 12 найденных подводных лодок, эскадренный миноносец "Новик" ("Яков Свердлов"), парусный линейный корабль "Лефорт", другие ценные исторические находки. Экспедиция финансируется Фондом президентских грантов.РИА Новости https://ria.ru/world/20180718/1524838249.html
18 июля 2018 г.
Никаких секретных договоренностей на встрече лидеров РФ и США Владимира Путина и Дональда Трампа в Хельсинки не было, заявил посол России в США Анатолий Антонов.© РИА Новости / Алексей НикольскийПерейти в фотобанкТрамп назвал встречу с Путиным переломным моментом в отношениях"Владимир Владимирович (Путин) все рассказал. Никаких секретных договоренностей, насколько я знаю, с тех встреч, которые проходили в Хельсинки, не было", — сказал Антонов журналистам.Первая полноформатная встреча президентов России и США состоялась 16 июля в Хельсинки. Президенты сначала более двух часов беседовали тет-а-тет, после чего делегации пообедали в расширенном составе и затем ответили на вопросы журналистов. По итогам встречи лидеры заявили о заинтересованности в улучшении отношений двух стран.РИА Новости https://ria.ru/world/20180718/1524837547.html
18 июля 2018 г.
Почти все компоненты современной электроники – транзисторы, светодиоды, фотодетекторы, полупроводниковые лазеры, солнечные батареи – построены на так называемых гетероструктурах. Что представляют собой эти структуры и чем обусловлена их важность для человечества? Почему они стали поводом для вручения Нобелевских премий в прошлом, как их дизайн выглядит сегодня и что с ними ждет электронику "завтра"?С чего все начиналось: электроны и дыркиВсем известно, что современная электроника базируется на полупроводниках. Среди неспециалистов распространено мнение, что полупроводники проводят ток только в одну сторону. Это не совсем так: полупроводники или почти не пропускают его, или пропускают в любом направлении – все зависит от температуры, освещения, наличия примесей.© DepositphotosОко света: как обмануть природуСовсем другое дело – полупроводниковые диоды. Эти устройства действительно работают как клапаны, позволяя току течь только в одном направлении. И достигается это за счет соединения различных материалов.Именно контакт двух или более веществ разного состава лежит в основе любого электронного прибора. Если он возникает, скажем, между участками одного полупроводника с разным содержанием примесей – это так называемый "p-n переход".Добавляя в чистый полупроводниковый кристалл примесь, можно увеличить его проводимость на несколько порядков. В зависимости от комбинации веществ, носителями тока в нем будут или отрицательно заряженные электроны (n-тип) или положительно заряженные дырки (p-тип). Примеси внедряют разными способами. Например, для создания биполярных кремниевых транзисторов, миллионы которых содержатся в микропроцессоре типичного компьютера или смартфона, обычно применяют ионную имплантацию – бомбардировку разогнанными ионами в вакууме.Несмотря на несложную технологию создания, у p-n переходов есть свои недостатки, например, неустойчивость к высоким температурам. Даже в чистом полупроводнике при нагреве рождаются электроны и дырки: это значит, что однажды кристалл "забудет" о наличии в нем примесей, диод начнет пропускать ток в обе стороны, и прибор перестанет работать. А лазеры на p-n переходах – и вовсе работают только при температурах жидкого азота.На пути к Нобелевской премииИменно такое несовершенство p-n переходов и общая нужда в полупроводниковых лазерах, работающих при комнатной температуре, побудили ученых к созданию гетеропереходов и гетероструктур.© Иллюстрация РИА Новости . Алина ПолянинаДесять открытий российских ученых, которые потрясли мирВ гетеропереходе соединяются два кристаллических вещества, причем место контакта должно быть идеальным, без трещин и других дефектов, рассказал инженер Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике (ИНТЭЛ) Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ" Юрий Сибирмовский. "Различие свойств на такой границе рождает множество полезных явлений. И, в отличие от p-n перехода, нагрев слабо влияет на свойства гетероструктур", — пояснил он.Типичные полупроводники – кремний, германий, соединения АIIIBV (например, арсенид галлия GaAs или арсенид индия InAs, а также InP, GaN). Соединяя эти вещества и их тройные растворы, можно широко варьировать электронные и оптические свойства приборов.Объединить различные полупроводники в одном приборе впервые предложил в 1947 году изобретатель транзистора Уильям Шокли. А настоящий прорыв в направлении гетеропереходов совершили – независимо друг от друга – советский ученый Жорес Алфёров и Герберт Крёмер в 1960-х годах, впоследствии разделив Нобелевскую премию по физике за 2000 год.Ученые предложили конструкцию лазера с двойным гетеропереходом, где в тонком центральном слое "заперты" и электроны, излучающие свет, и сам лазерный луч до выхода из кристалла. Именно это решение позволило полупроводниковым лазерам непрерывно работать при комнатной температуре. Сейчас их используют повсеместно – например, в DVD-дисководах и проигрывателях.В 1960-е годы экспериментальная реализация идеальных гетеропереходов казалась маловероятной. Однако Алфёров с коллегами все же смогли подобрать систему материалов GaAs/AlxGa1-xAs. Эта "гетеропара" стала основой не только лазеров, но и малошумящих транзисторов, которые встраивают в смартфоны для усиления сигнала.Метод МЛЭ: между наукой и искусствомКлючом к получению идеальных гетеропереходов стало изобретение метода молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Рост структуры методом МЛЭ происходит за счет испарения сверхчистых исходных материалов из отдельных ячеек на нагретую монокристаллическую подложку в условиях почти космического вакуума.Благодаря сверхвысокому вакууму и скорости роста около одного атомного слоя в секунду МЛЭ позволяет чрезвычайно точно контролировать химический состав и обеспечивать атомно гладкие границы между слоями гетероструктур. "Эпитаксия предоставляет колоссальную свободу в управлении составом слоев и комбинировании веществ. Здесь наука граничит с искусством, ведь из нескольких химических элементов можно сконструировать бесконечное множество самых разных гетероструктур", — утверждает Юрий Сибирмовский.© НИЯУ МИФИ/Юрий СибирмовскийСхема процесса молекулярно-лучевой эпитаксииГетероструктуры в электроникеВопрос о гетероструктурах особенно актуален для разработки транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT – high electron mobility transistor), крайне популярных в СВЧ-электронике: в системах спутниковой связи, радарах, мобильных устройствах.© РИА Новости / Алексей НикольскийПерейти в фотобанкУченые поняли, как управлять свойствами электроники будущегоГлавное преимущество HEMT – скорость движения электронов, которая обеспечивает высокую частоту переключения транзистора и позволяет выйти за пределы нескольких десятков ГГц. Это достигается за счет добавления в систему материалов с высокой подвижностью электронов (GaAs, InAs) и расположения примеси за пределами проводящего слоя.Однако размеры кристаллических ячеек InAs и GaAs не совпадают. Рост чистого InAs на подложках GaAs вызывает трещины и не дает получить работающий прибор. А подложки самого InAs недостаточно прочны. Поэтому важной задачей для физики гетероструктур стала разработка буферных слоев, позволяющих вырастить бездефектный слой InyGa1-yAs с как можно большей долей InAs. Это так называемые псевдоморфные HEMT-структуры, или PHEMT-структуры – именно на них сейчас держится большинство коммерческих СВЧ-усилителей.Возможное решение здесь – постепенно менять долю InAs в процессе роста от подложки до проводящего слоя. Такие гетероструктуры называют метафорфными (или MHEMT-структурами). Изучая их, специалисты ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ совместно с коллегами из ИСВЧПЭ РАН выяснили: наилучший эффект дает не плавное, а ступенчатое изменение состава с комбинациями сверхрешеток – узких слоев толщиной в несколько нанометров.Решение – в квантовом дизайнеДля решения этой и других задач коллектив Лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии ИНТЭЛ под руководством доцента НИЯУ МИФИ Ивана Васильевского предложил принципы квантового дизайна гетероструктур на основе перехода к составным функциональным слоям.© Fotolia / elen31Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники"Узкие проводящие слои выступают для электронов "квантовыми ямами". Электроны захватываются в эти узкие слои, при этом их свойства изменяются по законам квантовой механики. Если изменение химического состава однородной квантовой ямы уже не улучшает характеристики материала, выход – в усложнении конструкции за счет добавления различных неоднородных по составу нанослоев или сверхрешеток", — рассказал Иван Васильевский.Ученый добавил, что эффективно повышать подвижность электронов без потери их высокой концентрации можно за счет, например, нановставки InAs внутри квантовой ямы или AlAs – снаружи ее."За время работы лаборатории мы спроектировали и вырастили сотни разных HEMT, PHEMT и MHEMT гетероструктур на основе InGaAs и тщательно изучили их свойства, что вызвало живой интерес ученых всего мира и сделало МИФИ одним из лидеров по числу публикаций в этой области. Полученные результаты успешно показали себя на практике, в разработке малошумящих СВЧ транзисторов и других приборов", — отметил Иван Васильевский.По мнению ученого, несмотря на весь богатый опыт промышленного применения, этот материал еще не дошел до предела своих возможностей. Конкуренцию же в деле развития "электроники будущего" ему составляют материалы вроде графена, GaN, SiGe, SiC. Они обещают новые частотные диапазоны, большие мощности и работу при высоких температурах.Однако для создания качественных и недорогих приборных структур на их основе требуются масштабные исследования, недаром недавние Нобелевские премии по физике были вручены именно за работу с графеном (2010 год) и нитридом галлия (2014 год).Не оставляет без внимания эту тему и НИЯУ МИФИ. В 2018 молодые специалисты ИНТЭЛ получили премию Правительства Москвы за разработку СВЧ-усилителя из GaN с теплоотводом на основе графена.Выгодной альтернативой переходу на новые материалы может оказаться как раз квантовый дизайн гетероструктур на основе арсенидов и фосфидов: он не требует дорогих подложек, освоения новых методов роста кристаллов и усложнения технического процесса.РИА Новости https://ria.ru/science/20180718/1524803398.html
18 июля 2018 г.
Россия может принять решение о прекращении строительства своего сегмента Международной космической станции (МКС) и использовать еще не запущенные модули для создания международной окололунной станции Lunar Orbital Platform — Gateway, сообщил РИА Новости источник в ракетно-космической отрасли.© РИА Новости / Александр ВильфПерейти в фотобанкЭксперт рассказал, как рекордно короткие полеты к МКС помогут летать к ЛунеРоссия и США в сентябре 2017 года подписали соглашение о намерениях создать окололунную станцию Lunar Orbital Platform — Gateway. Согласно предварительным договоренностям, Россия может изготовить шлюзовую камеру для выходов экипажей в открытый космос. Ожидается, что строительство станции начнется в 2022 году, а российский отсек к ней присоединят в 2026 году."В связи с тем что эксплуатацию МКС планируется завершить в 2024 году, а российский сегмент до сих пор не достроен, высказываются предложения завершить его создание в текущей конфигурации, а заказанные модули использовать для расширения российского участия в проекте Lunar Orbital Platform — Gateway. Речь идет об узловом модуле, имеющем шесть портов для стыковки, и научно-энергетическом модуле, который бы мог существенно расширить пространство на окололунной станции", — рассказал собеседник агентства.Еще один отсек, создающийся для МКС – многофункциональный лабораторный модуль "Наука", работы над которым ведутся уже более 20 лет — использовать в лунном проекте не планируется.Пока, уточнил собеседник, это один из вариантов, который находится на стадии обсуждения.© Fotolia / studio023Россия и Китай хотят создать совместную космическую станциюВ настоящее время в состав МКС входят российские модули "Пирс", "Поиск", "Рассвет", "Заря" и "Звезда". В планах Роскосмоса — дооснастить международную космическую станцию тремя новыми модулями — многофункциональным лабораторным модулем "Наука", узловым и научно-энергетическим. Их запуски к МКС по текущей программе планируются, соответственно, на 2019, 2020 и 2022 годы. Таким образом последний модуль будет эксплуатироваться только два года. В этой связи Россия предлагает продлить работу станции до 2028 года. Но если партнеры не поддержат это предложение, один из вариантов дальнейшего использования трех новых российских модулей — их отстыковка от МКС и создание национальной Российской орбитальной станции.Ранее также сообщалось, что Китай проявлял интерес к созданию совместной орбитальной станции.В июне генеральный директор Роскосмоса Дмитрий Рогозин заявил в интервью РИА Новости, что поручил принять российский сегмент МКС в эксплуатацию. Строительство международной космической станции началось с запуска в 1998 году российского модуля "Заря", но до сих пор российский сегмент не принят в эксплуатацию и находится на испытаниях.РИА Новости https://ria.ru/space/20180718/1524823088.html
16 июля 2018 г.
Диалоги с Россией о Крыме с требованием отказаться от полуострова абсолютно бесперспективны, так как присоединение Крыма произошло в строгом соответствии с международным правом, заявил пресс-секретарь президента РФ Дмитрий Песков.© РИА Новости / Алексей МальгавкоПерейти в фотобанкУ берегов Крыма засекли британский самолет-разведчик"Крым – это территория РФ, это один из регионов РФ, Крым воссоединился с РФ в строгом соответствии с международным правом. Предтечей этого решения крымчан и РФ впоследствии были известные события в Киеве, спровоцированные и срежиссированные тоже известно кем. Поэтому в этом ключе говорить о Крыме абсолютно бесперспективно и мы в этом не видим никакого смысла", — завил Песков в интервью телеканалу RT, отвечая на вопрос о возможном изменении позиции президента США Дональда Трампа по этому вопросу.Крым стал российским регионом после проведенного там в марте 2014 года референдума, на котором 96,77% избирателей Республики Крым и 95,6% жителей Севастополя высказались за вхождение в состав Российской Федерации. Крымские власти провели референдум после госпереворота на Украине в феврале 2014 года. Украина по-прежнему считает Крым своей, но временно оккупированной территорией.Руководство РФ неоднократно заявляло, что жители Крыма демократическим путем, в полном соответствии с международным правом и Уставом ООН проголосовали за воссоединение с Россией. По словам президента РФ Владимира Путина, вопрос Крыма "закрыт окончательно".РИА Новости https://ria.ru/politics/20180716/1524640740.html
Вконтакте
Одноклассники
Фейсбук
Твитер